Obwód wzmacniacza MosFet o dużej mocy 250 W

Potężny projekt obwodu wzmacniacza DJ MOSFET przedstawiony w tym artykule jest dość łatwy do zbudowania i wytworzy uderzające 250 watów muzyki do 4-omowego głośnika. Zastosowanie na wyjściu tranzystorów HEXFET zapewnia potworne wzmocnienie prądu i napięcia.

Zaangażowanie tranzystorów MOSFET lub raczej HEXFET-ów w stopniu wyjściowym tego 250-watowego obwodu wzmacniacza mosfet zapewnia wysokie i wydajne wzmocnienie zarówno napięcia, jak i prądu. Obwód szczególnie wykazuje imponujące cechy, takie jak niskie zniekształcenia i zewnętrzne napięcie przesunięcia oraz regulacja prądu spoczynkowego.

Stopień wejściowy wzmacniacza

Stopień wyjściowy wzmacniacza

Jak działa obwód

Ten wyjątkowy 250-watowy obwód wzmacniacza mosfet może być używany jako wzmacniacz dla DJ-ów na koncertach, imprezach, w otwartym terenie itp. Symetryczna konstrukcja powoduje znikome zniekształcenia. Spróbujmy przeanalizować szczegóły obwodu:

Odnosząc się do schematu obwodu, widzimy, że stopnie wejściowe składają się głównie z dwóch wzmacniaczy różnicowych. Bloki T1 i T2 są w rzeczywistości dopasowanymi sparowanymi podwójnymi tranzystorami w jednym pakiecie, ale możesz wybrać tranzystory dyskretne, po prostu upewnij się, że ich hFes są odpowiednio dopasowane. Użyj kilku BC 547 i BC 557 odpowiednio dla typów NPN i PNP.

Konfiguracja różnicowa jest prawdopodobnie idealnym sposobem całkowania dwóch sygnałów, na przykład tutaj sygnały wejściowe i sygnały zwrotne są tak wydajnie mieszane.

Zwykle stosunek rezystancji kolektor / emiter T1 określa wzmocnienie tego stopnia.
Wartość odniesienia działania DC dla T1 i T2 jest odbierana z kilku tranzystorów T3 i T4 wraz z powiązanymi diodami LED.

Powyższa sieć LED / tranzystor pomaga również w zapewnieniu stałego źródła prądu do stopnia wejściowego, ponieważ praktycznie pozostaje on odporny na zmiany temperatury otoczenia, ale najlepiej, aby para LED / tranzystor była połączona ze sobą poprzez sklejenie ich ze sobą lub przynajmniej przylutowanie bardzo blisko siebie nawzajem na PCB.

Bezpośrednio za kondensatorem sprzęgającym C1, sieć składająca się z R2, R3 i C2 tworzy skuteczny filtr dolnoprzepustowy i pomaga utrzymać szerokość pasma na poziomie odpowiednim dla wzmacniacza.
Inna mała sieć na wejściu, obejmująca ustawienie wstępne 1M i kilka rezystorów 2M2, pomaga w regulacji napięcia przesunięcia tak, aby składowa DC na wyjściu wzmacniacza pozostawała na zerowym potencjale.

Za stopniem różnicowym wprowadzany jest pośredni stopień napędowy składający się z T5 i T7. Konfiguracja składająca się z T6, R9 i R17 tworzy rodzaj regulatora zmiennego napięcia, który służy do ustawiania poboru prądu spoczynkowego obwodu.

Wzmocniony sygnał z powyższego stopnia trafia do stopnia sterującego składającego się z T8 i T9, które są efektywnie wykorzystywane do napędzania stopnia mocy wyjściowej, w którym znajdują się tranzystory HEXFET T10 i T11, gdzie ostatecznie sygnały podlegają znacznemu wzmocnieniu prądu i napięcia.

Z diagramu jasno wynika, że ​​T10 jest kanałem p, a T11 jest n-kanałowym tranzystorem FET. Taka konfiguracja umożliwia wydajne wzmocnienie zarówno prądu, jak i napięcia na tym etapie. Całkowite wzmocnienie jest jednak ograniczone do 3 ze względu na okablowanie sprzężenia zwrotnego R22 / R23, a także R8 / C2. Ograniczenie zapewnia niskie zniekształcenia na wyjściu.

W przeciwieństwie do tranzystorów bipolarnych, tutaj stopień wyjściowy zawierający układy HEXFET ma wyraźną przewagę nad starą częścią licznika. HEXFETy są urządzeniami o dodatnim współczynniku temperaturowym są wyposażone w nieodłączną właściwość polegającą na ograniczaniu źródła drenażu, ponieważ temperatura obudowy ma tendencję do nadmiernego wzrostu, chroniąc urządzenie przed niekontrolowanymi temperaturami i spaleniem.

Rezystor R26 i kondensator szeregowy kompensują rosnącą impedancję głośnika przy wyższych częstotliwościach. Cewka indukcyjna L1 jest umieszczona w celu ochrony głośnika przed chwilowymi rosnącymi sygnałami szczytowymi.

Lista części

• R1 = 100K
• R2 = 100K
• R3 = 2K
• R4,5,6,7 = 33 E
• R8 = 3K3,
• R9 = 1 K PRESET,
• R10,11,12,13 = 1K2,
• R14,15 = 470E,
• R16 = 3K3,
• R17 = 470E,
• R18,19,21,24 = 12E,
• R22 = 220, 5 WATT
• R20,25 = 220E,
• R23 = 56E, 5 WATÓW
• R26 = 5E6, ½ WATT
• C1 = 2,2 uF, PPC,
• C2 = 1nF,
• C3 = 330 pF,
• C6 = 0,1 uF, mkt,
• T3 = BC557B,
• T4 = BC547B,
• T7,9 =
  TIP32,
• T5,6,8 = TIP31,
• T10 = IRF9540,
• T11 = IRF540,

Alternatywną wersję wyżej wyjaśnionego 250-watowego wzmacniacza mocy można zobaczyć na poniższym schemacie zawierającym wszystkie szczegóły dotyczące komponentów: