W tym artykule staramy się zrozumieć prawo Ohma i prawo Kirchhoffa za pomocą standardowych wzorów inżynierskich i wyjaśnień oraz stosując liniowe równanie różniczkowe pierwszego rzędu w celu rozwiązania przykładowych zestawów problemów.
W tej sekcji przeanalizujemy konfigurację wspólnej bazy BJT i poznamy charakterystykę jego punktu napędowego, odwrotny prąd nasycenia, napięcie od podstawy do emitera i ocenimy parametry poprzez
Tranzystor polowy (FET) to urządzenie elektroniczne, w którym do regulacji przepływu prądu wykorzystywane jest pole elektryczne. Aby to zrealizować, zastosowano różnicę potencjałów
Tranzystor Darlington jest dobrze znanym i popularnym połączeniem wykorzystującym parę bipolarnych tranzystorów połączeniowych (BJT), zaprojektowanych do działania jak zunifikowany tranzystor „superbeta”. Poniższy diagram pokazuje
W tym rozdziale omówiono wszystkie szczegóły dotyczące procedur polaryzacji prądu stałego w sieci Bipolarnej lub sieci BJT
Przetwornik cyfrowo-analogowy (DAC, D / A, D2A lub D-to-A) to obwód przeznaczony do konwersji cyfrowego sygnału wejściowego na analogowy sygnał wyjściowy. Przetwornik analogowo-cyfrowy (ADC) działa w odwrotny sposób i przekształca analogowy sygnał wejściowy w
W tranzystorach charakterystyka przenoszenia może być rozumiana jako wykreślanie prądu wyjściowego względem wielkości kontrolowanej na wejściu, co w konsekwencji wykazuje bezpośrednie „przenoszenie” zmiennych z wejścia na wyjście w
W bipolarnych tranzystorach złączowych czynnik określający poziom czułości urządzenia na prąd bazowy oraz poziom wzmocnienia na jego kolektorze nazywany jest beta lub hFE.
Ta konfiguracja jest znana jako konfiguracja wspólnego emitera, ponieważ tutaj emiter jest używany jako wspólny zacisk ujemny dla wejściowego sygnału podstawowego i obciążenia wyjściowego. Innymi słowy,
W poście wyjaśniono historię bipolarnego tranzystora złączowego, który wynalazł tranzystor, jego wewnętrzną strukturę konstrukcyjną i szczegóły operacyjne.
Polaryzacja zacisków bipolarnego tranzystora za pomocą obliczonej rezystancyjnej sieci dzielnika w celu zapewnienia optymalnej wydajności i odpowiedzi przełączania nazywa się polaryzacją dzielnika napięcia. W poprzednim uprzedzeniu
W poście szczegółowo opisano, jak zaprojektować stabilizowany obwód polaryzacji emitera z BJT poprzez równania i przykładowe oceny
Dowiedz się, czym jest analiza linii obciążenia i jak ją wdrożyć za pomocą praktycznego obwodu i analizy graficznej.
W tym poście dowiadujemy się, czym jest nasycenie w BJT i omawiamy różne metody określania poziomu prądu nasycenia tranzystora bipolarnego
Dioda tunelowa to rodzaj diody półprzewodnikowej, która ma ujemną rezystancję ze względu na efekt mechaniki kwantowej zwany tunelowaniem. W tym poście dowiemy się
Dioda waraktorowa, zwana również varicap, VVC (pojemność zmienna napięcia lub dioda dostrajająca, jest rodzajem diody półprzewodnikowej, która ma zmienną zależną od napięcia pojemność na złączu p-n, gdy
W elektronice prostowanie jest procesem, w którym dioda prostownika przekształca przemienny sygnał wejściowy prądu przemiennego o pełnym cyklu na sygnał wyjściowy prądu stałego o półcyklu. Pojedyncza dioda wytwarza
Chociaż tranzystory (BJT) są powszechnie używane do wytwarzania obwodów wzmacniacza, można je również skutecznie wykorzystać do zastosowań przełączających. Przełącznik tranzystorowy to obwód, w którym kolektor
Ten post pomoże ci zrozumieć kilka kluczowych parametrów lub specyfikacji komparatorów, które zwykle można znaleźć w arkuszach danych porównawczych układów scalonych. Niektóre z głównych parametrów
Wzmacniacz ze wspólnym kolektorem BJT to obwód, w którym kolektor i podstawa BJT mają wspólne zasilanie wejściowe, stąd nazwa wspólny kolektor. W naszym